Уровень донорной примеси может находиться где-угодно. В зависимости от их расположения выделяют мелкие и глубокие доноры. Как правило, для легирования используют мелкие доноры. Их уровни расположены вблизи дна зоны проводимости, и отстоят от него на несколько сотых эВ.
В полупроводнике зона проводимости отделена от зоны заполнения запрещенной зоной большого размера (можно сказать большой высоты). И электроны не могут переходить через запрещенную зону, точнее их переход маловероятен. Внесение донорной примеси приводит к образованию донорной зоны в запрещенной зоне полупроводника. Точное расположение донорной зоны будет зависеть от самого полупроводника и примеси.
Комментарии