Article. — Encyclopedia of Materials: Science and Technology, — 2001. — P.7724—7727. — (doi: 10.1016/B0-08-043152-6/01387-5). Polysilicon is the most widely used structural material for surface-micromachined microsystems and microelectromechanical systems (MEMS) and is the focus of this article, which summarizes the physical properties, microstructure, and residual stresses in...
Article. — Encyclopedia of Materials: Science and Technology, — 2001. — P.7724—7727. — (doi: 10.1016/B0-08-043152-6/01387-5). Polysilicon is the most widely used structural material for surface-micromachined microsystems and microelectromechanical systems (MEMS) and is the focus of this article, which summarizes the physical properties, microstructure, and residual stresses in...
Wiley, 2021. — 305 p. — ISBN 9780470061213. Presenting all the major stages in wafer manufacturing, from crystals to prime wafers. This book first outlines the physics, associated metrology, process modelling and quality requirements and the goes on to discuss wafer forming and wafer surface preparation techniques. The whole is rounded off with a chapter on the research and...
Wiley, 2021. — 766 p. — ISBN 9781118696231. Presenting all the major stages in wafer manufacturing, from crystals to prime wafers. This book first outlines the physics, associated metrology, process modelling and quality requirements and the goes on to discuss wafer forming and wafer surface preparation techniques. The whole is rounded off with a chapter on the research and...
Elsevier, 1990. — 718 p. — ISBN: 978-0-444-98801-0, 0-444-98801-7, 0-444-41903-9. The explosive growth in the semiconductor industry has caused a rapid evolution of thin film materials that lend themselves to the fabrication of state-of-the-art semiconductor devices. Early in the 1960s an old research technique named chemical vapour phase deposition (CVD), which has several...
Под ред. Ж.И. Алферова. — М: Советское радио, 1975. — 328 с. Книга посвящена новому методу в технологии полупроводниковых приборов и материалов — жидкостной эпитаксии (ориентированной кристаллизации монокристаллических слоев полупроводниковых материалов из растворов этих материалов в расплавленных металлах). Рассмотрены различные варианты метода, физико-химические основы процесса...
Учебное пособие для вузов. — М.: Высшая школа, 1979. — 368 с. В книге рассмотрены основы теории технологических процессов, физико-химические основы общих и специальных процессов производства электровакуумных и полупроводниковых приборов, а также микросхем; излагаются вопросы технологичности, моделирования и проектирования технологических процессов производства изделий...
Самара: СГАУ, 2001. — 24 c. Приведены теоретические сведения по технологии нанесения слоев методом магнетронного распыления материалов. Описаны основные узлы и блоки агрегата непрерывного действия типа О1НИ-7-006, а также порядок работы на нем для приобретения практических навыков нанесения материалов на подложку. Рекомендуются студентам специальности 20.08.00 при изучении...
М.: ОНТИ, 1989. — 25 с. Реферативный обзор. Рассматривается производство пластин кремния большого диаметра для полупроводниковых приборов. Отмечается тенденция расширения использования пластин с эпитаксиальными слоями, прежде всего для биполярных КМОП-схем. Продолжаются исследования новых модификаций эпитаксиальных технологий, основанных на низких температурах роста и давлении...
СПб.: Университет ИТМО, 2018. — 65 с. В пособии изложены основы построения технологического процесса в микроэлектронике на примере технологии сборки светодиодов. Обсуждаются общие принципы разработки технологического процесса, место технолога в производственном процессе, методы формализации и описания технологии. Рассмотрены основные госты, в том числе системы ЕСТД, состав...
М.: Техносфера, 2007. — 176 с.: цв. ил. — ISBN 978-5-94836-134-5. В книге обобщено современное состояние одной из отраслей производства изделий электронной техники: вакуумной технологии нанесения и травления тонких пленок. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок, плазмохимических установок для травления тонких пленок и технологических особенностей...
М.: Техносфера, 2007. — 176 с.: цв. ил. — ISBN 978-5-94836-134-5. В книге обобщено современное состояние одной из отраслей производства изделий электронной техники: вакуумной технологии нанесения и травления тонких пленок. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок, плазмохимических установок для травления тонких пленок и технологических особенностей...
М.: Радио и связь, 1988. — 168 с. Рассматриваются различные методы и средства измерения линейных размеров, толщин и глубин топологических элементов интегральных микросхем с позиций их применимости для неразрушающего и оперативного контроля в процессе производства. Указаны пути совершенствования и оценены предельные возможности каждого из методов. Приводятся рекомендации по...
Учебное пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2021. — 100 с. Показаны взаимосвязи параметров процессов химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) и физико-химических свойств тонких пленок (ТП), систематизированы и обобщены основные особенности ТП материалов на основе кремния. Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов...
Учебное пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2022. — 131 с. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с созданием многоуровневых систем металлизации интегральных микросхем по технологическим маршрутам, обобщенно называемым Back-End-Of-Line (BEOL). Охарактеризованы проблемы и решения создания проводящих и металлических тонких пленок, пленок диэлектрических материалов,...
М.: Радио и связь, 1981. — 112 с. — (Массовая библиотека инженера «Электроника»). Рассмотрены физические основы фотометрического метода контроля технологии производства интегральных схем (ИС), основные типы источников излучения и фотоприёмников, применяемых в фотометрических схемах контроля. Приведены схемы измерения толщины и скорости осаждения тонких плёнок. Проанализирована...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1981. — 118 с. Основными процессами планарной технологии являются процессы диффузии, эпитаксии, окисления и фотолитографии. Эти процессы, как правило, при изготовлении прибора повторяются многократно. От качественного проведения этих процессов зависят основные параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем, процент выхода годных. Одним из...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1981. — 118 с. Основными процессами планарной технологии являются процессы диффузии, эпитаксии, окисления и фотолитографии. Эти процессы, как правило, при изготовлении прибора повторяются многократно. От качественного проведения этих процессов зависят основные параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем, процент выхода годных. Одним из...
Под ред. В.К. Сырчина. — М.: Машиностроение, 1987. — 72 с.: ил. В брошюре кратко рассмотрены вакуумные процессы в химически активной среде (плазмохимическое осаждение пленок при пониженном давлении и вакуумно-плазменное травление микроструктур). Дан анализ влияния различных факторов на параметры процессов осаждения и травления. Сформулированы требования к вакуумным насосам,...
Под ред. В.К. Сырчина. — М.: Машиностроение, 1987. — 72 с.: ил. В брошюре кратко рассмотрены вакуумные процессы в химически активной среде (плазмохимическое осаждение пленок при пониженном давлении и вакуумно-плазменное травление микроструктур). Дан анализ влияния различных факторов на параметры процессов осаждения и травления. Сформулированы требования к вакуумным насосам,...
Минск: Беларуская навука, 2018. — 270 с. — ISBN 978-985-08-2298-7. Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов...
Ленинград: ЛДНТП, 1974. — 20 с. с илл. Изложены некоторые аспекты практического применения контактно-реактивной пайки сопротивлением выводов интегральных схем с проводниками многослойных печатных плат. В качестве припоев использованы гальванические покрытия, наносимые на печатные платы в процессе их изготовления. Брошюра рассчитана на работников промышленности, занятых...
Москва ; Ленинград : Оборонгиз, 1939. — 240 с. Содержание настоящей книги является переработанным и дополненным материалом лекций, читанных автором в Электровакуумном техникуме по курсу «Технология электровакуумного производства» (раздел «Технология материалов электровакуумного производства»). Из всего программного материала курса в книгу не вошли лишь вопросы собственно...
Москва; Ленинград: Государственное энергетическое издательство, 1944. — 464 с. В книге рассматривается технология производства, электроламп , а также электрических ламп накаливания и других электровакуумных приборов. Технология электровакуумных материалов.
Учебно-методическое пособие. — М.: МИСиС, 2001. — 158 с. Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений A III B V и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены...
Учебно-методическое пособие. — М.: МИСиС, 2001. — 158 с. Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений A III B V и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1986. — 147 с. Лабораторный практикум предназначен для студентов специальности 0643 и обеспечивает впервые читаемый специальный курс "Элионная технология в микроэлектронике". Основной целью практикума является практическое закрепление знаний студентов по новым экспериментальным возможностям ионно-плазменных процессов получения и травления...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1986. — 147 с. Лабораторный практикум предназначен для студентов специальности 0643 и обеспечивает впервые читаемый специальный курс "Элионная технология в микроэлектронике". Основной целью практикума является практическое закрепление знаний студентов по новым экспериментальным возможностям ионно-плазменных процессов получения и травления...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1989. — 118 с. Пособие является первой частью лабораторного практикума "Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем" для студентов специальностей 20.02, 20.03. Содержит описания пяти лабораторных работ, в которых изучаются основные процессы создания приборных микроэлектронных структур: создание защитных диэлектрических пленок...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1989. — 118 с. Пособие является первой частью лабораторного практикума "Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем" для студентов специальностей 20.02, 20.03. Содержит описания пяти лабораторных работ, в которых изучаются основные процессы создания приборных микроэлектронных структур: создание защитных диэлектрических пленок...
Учебник для техникумов по технологии производства микроэлектронных устройств, 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1991. — 344 с. Общая характеристика технологии производства интегральных микросхем; Изготовление и очистка пластин и подложек; Методы формирования топологии микросхем; Методы получения тонких пленок; Методы получения полупроводниковых слоев и переходов;...
Учебное пособие для технических училищ. — М.: Высшая школа, 1979. — 272 с., ил. — (Профтехобразование. Радиоэлектроника) В книге рассмотрены технологические процессы химической обработки, фотолитографии и изготовления фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Приведены основы теории этих процессов, методы и средства контроля качества...
Учебное пособие для технических училищ. — М.: Высшая школа, 1979. — 272 с.: ил. — (Профтехобразование. Радиоэлектроника). В книге рассмотрены технологические процессы химической обработки, фотолитографии и изготовления фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Приведены основы теории этих процессов, методы и средства контроля качества...
Учебник для средних ПТУ. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 199 с.: ил. В книге описаны процессы изготовления полупроводниковых приборов и микросхем диффузией, планарной и элионной технологией, а также нанесения эпитаксиальных, диэлектрических и металлических плёнок. Рассмотрено технологическое оборудование. Третье издание дополнено материалом по основным...
Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп. — Москва: Высшая школа, 1976. — 319 с. В книге приведены основные сведения о технологическом процессе производства полупроводниковых приборов, описаны устройство, принцип действия, правила эксплуатации и наладки, а также даны технические характеристики технологического оборудования. Второе издание переработано и дополнено описанием...
Учебное пособие по дисциплине «Процессы микро- и нанотехнологии». — Ростов-на-Дону: Южный федеральный университет, 2014. — 44 с. В учебном пособии рассмотрены основные технологии современной микроэлектроники, позволяющие организовать производство СБИС и УБИС с проектными нормами менее 90 нм: технология получения структур кремний - на - изоляторе (SOI), использование...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону: Южный федеральный университет, 2014. — 56 с. В пособии рассмотрены базовые методы изоляции элементов интегральных схем. Основное внимание уделено комбинированным методам изоляции и изоляции диэлектриком. Рассмотрены технологические процессы, достоинства и недостатки методов. Показана перспективность создания радиационностойких...
Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2011. — 168 с. — ISBN: 978-5-7256-0630-0. Изложены вопросы физики газовых разрядов, физико-химических процессов в газоразрядной плазме и механизмов взаимодействия ионов и химически активных частиц, генерируемых в плазме, с поверхностью обрабатываемого материала. Представленный материал охватывает физико-химические процессы, на основе которых...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 223 с.: ил. — ISBN 5-06-000303-5. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено автоматизации и роботизации технологических процессов, качеству и надежности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 223 с.: ил. — ISBN 5-06-000303-5 Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено автоматизации и роботизации технологических процессов, качеству и надежности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 111 с.: ил. — ISBN 5-06-001082-1. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 111 с.: ил. — ISBN 5-06-001082-1 В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 96 с.: ил. — ISBN: 5-06-000304-3. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизации p-n переходов,...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 96 с.: ил. — ISBN 5-06-000304-3 В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 143 с.: ил. — ISBN 5-06-000305-1 В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 143 с.: ил. — ISBN 5-06-000305-1. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 95 с.: ил. — ISBN 5-06-000306-Х. В книге описаны технологические процессы механической и химической обработки полупроводниковых пластин: резка,шлифовка, полировка, скрайбирование, разламывание, химическая очистка и травление. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 95 с.: ил. — ISBN 5-06-000306-Х В книге описаны технологические процессы механической и химической обработки полупроводниковых пластин: резка,шлифовка, полировка, скрайбирование, разламывание, химическая очистка и травление. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 96 с.: ил. — ISBN 5-06-000307-8 В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 96 с.: ил. — ISBN 5-06-000307-8. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 110 с.: ил. — ISBN 5-06-000308-6. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1989. — 110 с.: ил. — ISBN 5-06-000308-6 В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 128 с.: ил. . —ISBN 5-06-001079-1 В книге описаны процессы воздействия на твердое тело электронных, ионных и оптических пучков, применяемые в микроэлектронике для травления диэлектриков,полупроводников, металлов, нанесения их тонких слоев на подложки и модификации поверхностных слоев полупроводниковых пластин. Приведены сведения по...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 128 с.: ил. — ISBN 5-06-001079-1. В книге описаны процессы воздействия на твердое тело электронных, ионных и оптических пучков, применяемые в микроэлектронике для травления диэлектриков,полупроводников, металлов, нанесения их тонких слоев на подложки и модификации поверхностных слоев полупроводниковых пластин. Приведены сведения по...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 128 с.: ил. — ISBN 5-06-0010805 В книге описаны современные методы литографии (фотолитография, рентгенолитография, электронолитография и ионолитография) и изготовления шаблонов при производстве полупроводниковых приборов и ИМС. Рассмотрено используемое автоматическое оборудование. Уделено внимание контролю размеров элементов...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 128 с.: ил. — ISBN 5-06-0010805. В книге описаны современные методы литографии (фотолитография, рентгенолитография, электронолитография и ионолитография) и изготовления шаблонов при производстве полупроводниковых приборов и ИМС. Рассмотрено используемое автоматическое оборудование. Уделено внимание контролю размеров элементов...
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 126 с. — ISBN 5-06-001081-3 Описана сборка полупроводниковых приборов и ИМС: монтаж кристаллов, присоединение электродных выводов и герметизация. Даны теоретические основы наиболее широко применяемых при сборке процессов пайки и сварки. Рассмотрено современное сборочное оборудование, его принцип действия, устройство и обслуживание....
В 10-и книгах. — Москва: Высшая школа, 1990. — 126 с. — ISBN 5-06-001081-3. Описана сборка полупроводниковых приборов и ИМС: монтаж кристаллов, присоединение электродных выводов и герметизация. Даны теоретические основы наиболее широко применяемых при сборке процессов пайки и сварки. Рассмотрено современное сборочное оборудование, его принцип действия, устройство и...
Пер. с англ. Горин С.Н. — Москва: Мир, 1965. — 382 с. В книгу включен ряд обзоров и оригинальных статей по травлению важнейших полупроводниковых материалов: германия, кремния, соединений типа A III B V , A II B VI и некоторых других. Подробно рассматриваются вопросы кинетики поверхностных реакций и образования поверхностного микрорельефа, выявления неоднородностей в...
Пер. с англ. Горин С.Н. — М.: Мир, 1965. — 382 с. В книгу включен ряд обзоров и оригинальных статей по травлению важнейших полупроводниковых материалов: германия, кремния, соединений типа AIIIBV, AIIBVI и некоторых других. Подробно рассматриваются вопросы кинетики поверхностных реакций и образования поверхностного микрорельефа, выявления неоднородностей в распределении примесей...
Воронеж: ВТИ, 1974. — 86 с. Сборник объединяет результаты научно-исследовательских работ, выполненных на кафедре основного органического синтеза Воронежского технологического института, во Всесоюзном научно-исследовательском институте синтетических смол (г. Владимир), Институте химии Академии наук Молдавской ССР (г. Кишинев), Томском ордена Трудового Красного Знамени...
Комментарии