Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Венгер Е.Ф., Волков Е.Г., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Миленин Г.В., Пилипенко В.А., Редько Р.А., Саченко А.В. — Харьков: ИСМА, 2011. — 284 с. — ISBN: 978-966-02-5859-4.
Монография охватывает базовые физические методы диагностики в микроэлектронике: методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых материалов и структур для СБИС и ряда дискретных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых структур с квантовыми точками, квантовыми ямами и сверхрешетками; методы электронной микроскопии, Оже-электронной спектрометрии, РФЭС, ВИМС и обратного резерфордовского рассеяния, а также ряд зондовых методов в диагностике контактной металлизации и электрофизических параметров полупроводниковых материалов; теплофизические методы в диагностике микроволновых диодов и светодиодов.
Значительное внимание уделено методам математического моделирования механизмов токопереноса в контактах металл-полупроводник с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника и физико-статистическому моделированию отказов.
Методы рентгеновской дифракционной диагностики кристаллов, гетероструктур и приборных структур полупроводников.
Методы электронной микроскопии, электронной и ионной спектроскопии в диагностике полупроводниковых материалов и структур.
Методы и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий по их тепловым параметрам.
Зондовые методы измерений параметров полупроводниковых материалов и структур.
Механизмы формирования контактного сопротивления омических контактов металл—полупроводник. Теоретическое моделирование.
Физико-статистическое моделирование отказов в задачах диагностики полупроводниковых приборов.