Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС (книга 1)

Пер. с англ. под ред. С. Зи. — М.: Мир, 1986. — 404 с.В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Для студентов старших курсов вузов соответствующего профиля, аспирантов и специалистов в области проектирования, технологии изготовления и применения ИС.Предисловие редактора перевода.
Предисловие.
Введение.
Рост кристаллов и подготовка подложек.
Эпитаксия.
Осаждение диэлектрических пленок и поликристаллического кремния.
Окисление.
Диффузия.
Ионная имплантация.
Литография.
Задачи (к каждой главе).
Литература (к каждой главе).