Изд. 2-е, перераб. и доп. — М. : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1987. — 144 с.
Приведены задачи по основным вопросам физики полупроводников (статистика электронов и дырок в полупроводниках, диффузия и дрейф носителей заряда, фото- и термоэлектрические явления и т. д.). Во втором издании добавлен ряд новых задач (в частности, относящихся к полупроводникам со сложным законом дисперсии); введена также новая глава, посвященная оптике полупроводников. В начале каждой главы дана сводка основных формул, задачи снабжены подробными решениями (1-е изд. в 1968 г.);
Для студентов и аспирантов университетов и других вузов, готовящих специалистов по физике полупроводников, полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой электронике.
Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
Диффузия и дрейф носителей заряда.
Диффузия и дрейф носителей заряда в магнитном поле.
Поверхностные явления.
Термо-ЭДС в полупроводниках.
Фото-ЭДС в полупроводниках.
Оптика полупроводников.
Приложения:
Некоторые свойства Интегралов Ферми.
Некоторые параметры полупроводниковых материалов.