Сейсян Р.П. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете

Обзор. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия, 2004 г.
Приводятся обзор и обоснование основных идей фотолитографии высокого разрешения в экстремально дальнем вакуумно-ультрафиолетовом диапазоне спектра электромагнитного излучения, разрабатываемых применительно к созданию интегральных схем сверхвысокого уровня интеграции, превосходящих современные ИС по интеграции на 1-2 порядка. Рассматриваются проблемы и современное состояние развития разработок в этой области.