Кременчуг, 2003. - 46 с.
Речь пойдет о переходных процессах на уровне кристаллов в диоде, MOSFETe и IGBT. Рассматриваются характеристики, принципы работы, структура, характеристики переключения, переходные процессы, требования и т. д.
Пособие с цветными иллюстрациями, написанно грамотно.