Степаненко И.П. Основы микроэлектроники

Учебное пособие. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил.Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-ом издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначена для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.Предисловие ко второму изданию.
Предисловие к первому изданию.

Предмет микроэлектроники.
Введение.
Интегральные схемы.
Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов.
Краткий исторический обзор.
Заключение.
Контрольные вопросы.Полупроводники.
Введение.
Структура полупроводников.
Носители заряда.
Энергетические уровни и зоны.
Распределение носителей в зонах проводимости.
Эффект поля.
Рекомбинация носителей.
Законы движения носителей в полупроводниках.
Контрольные вопросы.Полупроводниковые переходы и контакты.
Введение.
Электронно-дырочные переходы.
Контакты полупроводник-металл.
Граница полупроводник-диэлектрик.
Контрольные вопросы.Униполярные транзисторы.
Введение.
МДП-транзисторы.
Полевые транзисторы.
Контрольные вопросы.Физические принципы работы биполярного транзистора и тиристора.
Введение.
Принцип действия.
Распределения носителей.
Коэффициенты усиления тока.
Статические характеристики.
Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
Переходные и частотные характеристики.
Тиристор.
Контрольные вопросы.Технологические основы микроэлектроники.
Введение.
Подготовительные операции.
Эпитаксия.
Термическое окисление.
Легирование.
Травление.
Техника масок.
Нанесение тонких пленок.
Металлизация.
Сборочные операции.
Технология тонкопленочных гибридных ИС.
Технология толстопленочных гибридных ИС.
Контрольные вопросы.Элементы интегральных схем.
Введение.
Изоляция элементов.
Транзисторы n-p-n.
Разновидности n-p-n-транзисторов.
Транзисторы p-n-p.
Интегральные диоды.
Полевой транзистор.
МДП-транзисторы.
Полупроводниковые резисторы.
Полупроводниковые конденсаторы.
Элементы ИС на полупроводниках группы А^III1^V.
Элементы пленочных ИС.
Контрольные вопросы.Основы цифровой схемотехники.
Введение.
Статический режим простейшего биполярного ключа.
Переходные процессы в простейшем биполярном ключе.
Ключ с барьером Шоттки.
Переключатель тока.
МДП-транзисторные ключи.
Помехоустойчивость ключей.
Бистабильные ячейки и триггеры.
Триггер Шмитта.
Контрольные вопросы.Основы аналоговой схемотехники.
Введение.
Составные транзисторы.
Статический режим простейшего усилителя.
Переходные процессы в простейшем усилителе.
Простейшие усилители на МДП-транзисторах.
Дифференциальные усилители.
Эмиттерные повторители.
Каскод.
Выходные каскады.
Стабилизаторы напряжения.
Стабилизаторы тока.
Контрольные вопросы.Интегральные схемы.
Введение.
Логические элементы на биполярных транзисторах.
Логические элементы на МДП-транзисторах.
Логические элементы на совмещенных биполярных и МОП-транзисторах (БиКМОП).
Логические элементы на полевых транзисторах с управляющим переходом металл-полупроводник (МЕП).
Параметры логических элементов.
Интегральные триггеры.
Запоминающие устройства.
Большие и сверхбольшие интегральные схемы.
Операционные усилители.
Надежность интегральных схем.
Заключение.
Контрольные вопросы.Заключение. Перспективы развития микроэлектроники.
Литература.