СПб.: Издательство Буковского, 2000. — 96 с.: ил.
В сборнике ” В лабиринте силовой электроники” рассмотрены пути решения проблем, возникающих при создании силовых электронных устройств, преобразователей постоянного и переменного тока на транзисторах MOSFET и IGBT.
Особое значение автор придает предварительному компьютерному анализу тепловых режимов работы транзисторов, без которых невозможно обеспечить надежность работы схемы при заданных значениях тока, напряжения, частоты, температуры окружающей среды.
Моделирование MOSFET и IGBT транзисторов с помощью SPICE.
Обеспечение защиты от перегрузки в MOSFET драйверах.
Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами.
IGBT или MOSFET? Практика выбора.
IGBT транзисторы в системе электронного зажигания.
Электролитические конденсаторы.
Особенности применения.
Литература.